SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix
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SQM100N10-10_GE3

Visão Geral do Produto

12787524

DiGi Electronics Número da Peça

SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3

Descrição

MOSFET N-CH 100V 100A TO263

Inventário

1800 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Quantidade
Mínimo 1

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Em Estoque (Todos os preços estão em USD)
  • QTDE Preço Alvo Preço Total
  • 800 1.6700 1334.4800
  • 1600 1.4600 2334.9800
  • 2400 1.3400 3227.7600
  • 5600 1.3000 7304.2200
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SQM100N10-10_GE3 Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalagem Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

Status do produto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 100 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 8050 pF @ 25 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) 375W (Tc)

Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)

Grau Automotive

Qualificação AEC-Q101

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor TO-263 (D2PAK)

Pacote / Estojo TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número do produto base SQM100

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

SQM100N10-10

Folha de Dados HTML

SQM100N10-10_GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR
Pacote padrão
800

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
IXFA130N10T2
IXYS
1900
IXFA130N10T2-DG
1.4329
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