SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (386 Avaliações)

SIR642DP-T1-GE3

Visão Geral do Produto

12786976

DiGi Electronics Número da Peça

SIR642DP-T1-GE3-DG

Fabricante

Vishay Siliconix
SIR642DP-T1-GE3

Descrição

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Inventário

1862 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
FETs únicos, MOSFETs
SIR642DP-T1-GE3 Folha de Dados
Quantidade
Mínimo 1

Compra e consulta

RFQ (Pedido de Cotações)

Você pode enviar sua consulta de RFQ diretamente na página de detalhes do produto ou na página de RFQ. Nossa equipe de vendas responderá à sua solicitação dentro de 24 horas.

Método de pagamento

Oferecemos vários métodos de pagamento convenientes, incluindo PayPal (recomendado para novos clientes), Cartões de Crédito e Transferências Bancárias (T/T) em USD, EUR, HKD e outros.

AVISO IMPORTANTE

Após enviar a sua solicitação de cotação (RFQ), você receberá um e-mail na sua caixa de entrada confirmando o recebimento da sua consulta. Se você não o receber, nosso endereço de e-mail pode ter sido classificado como spam. Por favor, verifique a sua pasta de spam e adicione nosso endereço de e-mail [email protected] à sua lista de permissões para garantir que você receba a nossa cotação. Devido à possibilidade de flutuações de estoque e preço, nossa equipe de vendas precisa reconfirmar sua consulta ou pedido e enviar quaisquer atualizações por e-mail de maneira oportuna. Se você tiver outras perguntas ou precisar de ajuda adicional, fique à vontade para nos avisar.

Solicitar Orçamento(Envia amanhã)
Quantidade
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

SIR642DP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalagem -

Série TrenchFET®

Status do produto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 40 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 2.3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 4155 pF @ 20 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8

Pacote / Estojo PowerPAK® SO-8

Número do produto base SIR642

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Baixar SIR642DP-T1-GE3 Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados

SIR462DP
Folha de Dados HTML

SIR642DP-T1-GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
34543
BSC022N04LSATMA1-DG
0.5200
MFR Recommended
SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
39100
SIR470DP-T1-GE3-DG
0.4605
MFR Recommended
Certificação DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produtos Relacionados
Blogs & Publicações
Capacity Shifting and Upgrading of Passive Components (MLCC & Inductors): Trends and Applications
jul. 08 2025
Littelfuse 01500274Z: Porta-fusível em linha para proteção de circuito
jul. 02 2025
Entendendo o ALE7PB05 Relay: recursos, aplicativos e onde comprar
jun. 24 2025