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SIR642DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
2124 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR642DP-T1-GE3
Visão Geral do Produto
12786976
DiGi Electronics Número da Peça
SIR642DP-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIR642DP-T1-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Inventário
2124 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR642DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4155 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR642
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Baixar SIR642DP-T1-GE3 Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados
SIR462DP
Folha de Dados HTML
SIR642DP-T1-GE3-DG
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informação Adicional
Outros nomes
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Peças alternativas
NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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Perguntas Frequentes (FAQ)
Quais são as principais características do MOSFET Vishay SIR642DP-T1-GE3?
O MOSFET Vishay SIR642DP-T1-GE3 é um MOSFET de canal N com uma tensão de dreno para fonte de 40V, corrente de dreno contínua de 60A e resistência Rds On baixa de 2,4mΩ a 10V. Ele possui embalagem PowerPAK® SO-8 para montagem de superfície e é adequado para aplicações de chaveamento de alta corrente.
O MOSFET Vishay SIR642DP-T1-GE3 é adequado para eletrônica de alta potência?
Sim, esse MOSFET foi projetado para aplicações de alta potência, com uma dissipação máxima de até 41,7W na case, tornando-o ideal para gerenciamento de energia, controle de motores e fontes de alimentação comutadas.
Quais são os requisitos de compatibilidade e voltagem de acionamento para este MOSFET?
Este MOSFET pode ser acionado com uma voltagem máxima de gate para source de 20V, tendo uma tensão de condução típica entre 4,5V e 10V, e uma voltagem de threshold em torno de 2,3V, garantindo compatibilidade com circuitos lógicos padrão e drivers.
Quais são as vantagens de escolher o MOSFET Vishay SIR642DP-T1-GE3?
Este MOSFET oferece resistência Rds On baixa para comutação eficiente, alta capacidade de corrente, dissipa robustamente o calor, além de ser compatível com normas RoHS e possuir design PowerPAK® SO-8 de montagem em superfície, facilitando sua integração em diversos dispositivos eletrônicos.
Posso comprar o MOSFET Vishay SIR642DP-T1-GE3 diretamente do estoque e qual é a garantia?
Sim, o Vishay SIR642DP-T1-GE3 está disponível em estoque com 2617 unidades. Como é um produto original novo, geralmente oferece cobertura de garantia do fabricante. Consulte seu fornecedor para detalhes específicos de garantia.
Garantia de Qualidade (QC)
DiGi garante a qualidade e autenticidade de cada componente eletrónico através de inspeções profissionais e amostragem em lote, assegurando uma proveniência fiável, desempenho estável e conformidade com especificações técnicas, ajudando os clientes a reduzir riscos na cadeia de abastecimento e a usar componentes com confiança na produção.
SIR642DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR642DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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