Prevenção de falsificação e defeitos
Inspeção visual e de embalagem
Verificação do desempenho elétrico
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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ
Visão Geral do Produto
12994845
DiGi Electronics Número da Peça
TPHR6503PL1,LQ-DGFabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL1,LQ
Descrição
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZInventário
68029 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Quantidade
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Pagamento Seguro e Flexível
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TPHR6503PL1,LQ Especificações Técnicas
Categoria
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Baixar TPHR6503PL1,LQ Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados
TPHR6503PL1
Folha de Dados HTML
TPHR6503PL1,LQ-DG
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
Pacote padrão
5,000
Reviews
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dezembro 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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Perguntas Frequentes (FAQ)
Qual é a principal aplicação do MOSFET Toshiba UMOS9 SOP-ADV N-Channel?
Este MOSFET foi projetado para aplicações de chaveamento de alta corrente, como gestão de energia, acionamento de motores e sistemas de inversores, devido à sua alta capacidade de corrente e baixa resistência Rds On.
O MOSFET da série Toshiba U-MOSIX-H é compatível com projetos padrão de placas de circuito impresso (PCB) de montagem superficial?
Sim, apresenta embalagem de montagem superficial 8-SOP Advance, tornando-o adequado para montagem em PCB padrão e designs compactos.
Quais são as principais especificações elétricas deste MOSFET de canal N?
Ele suporta uma tensão entre dreno e fonte de 30V, corrente contínua de dreno de 150A a 25°C, e possui uma baixa resistência Rds On de 0,65mΩ a 50A e Vgs de 10V, garantindo condução eficiente de energia.
Este MOSFET pode operar em altas temperaturas e qual é a sua temperatura máxima de operação?
Sim, pode operar de forma confiável até temperaturas de até 175°C, tornando-o adequado para aplicações industriais de potência que exigem alto desempenho térmico.
O MOSFET da Toshiba oferece garantia ou disponibilidade de estoque para compras em grande quantidade?
O produto está ativo, com mais de 68.514 unidades em estoque. Como produto original novo, geralmente oferece garantia do fabricante e suporte para compras em volume.
Garantia de Qualidade (QC)
DiGi garante a qualidade e autenticidade de cada componente eletrónico através de inspeções profissionais e amostragem em lote, assegurando uma proveniência fiável, desempenho estável e conformidade com especificações técnicas, ajudando os clientes a reduzir riscos na cadeia de abastecimento e a usar componentes com confiança na produção.
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
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