Prevenção de falsificação e defeitos
Inspeção visual e de embalagem
Verificação do desempenho elétrico
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IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1
Visão Geral do Produto
12803539
DiGi Electronics Número da Peça
IPP041N12N3GXKSA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Descrição
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventário
200457 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 270µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP041
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Baixar IPP041N12N3GXKSA1 Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Folha de Dados HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informação Adicional
Outros nomes
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Pacote padrão
50
Reviews
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dezembro 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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dezembro 02, 2025
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Perguntas Frequentes (FAQ)
Quais são as principais características do MOSFET de Canal N Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
Este MOSFET suporta uma tensão de dreno para fonte de 120V e uma corrente contínua de dreno de 120A a 25°C, com um Rds On baixo de 4,1mΩ, tornando-o adequado para aplicações de comutação de alta potência. É projetado com encapsulamento TO-220-3 para fácil montagem e desempenho confiável.
Para quais aplicações este MOSFET de 120V e 120A é indicado?
Este MOSFET é ideal para conversores de energia, acionamentos de motores e circuitos de comutação de alta corrente, onde a gestão eficiente de energia e o desempenho térmico são essenciais. Seu design robusto garante durabilidade em sistemas eletrônicos exigentes.
Este MOSFET de Canal N é compatível com designs eletrônicos existentes?
Sim, o IPP041N12N3GXKSA1 é compatível com tensões de acionamento padrão e possui um limiar de gate de 4V, tornando-o adequado para diversos projetos de fontes de alimentação comutadas e sistemas embarcados.
Quais são os benefícios de escolher os MOSFETs da série OptiMOS™ da Infineon?
Os MOSFETs OptiMOS™ são reconhecidos por seu baixo Rds On, alta eficiência e excelente desempenho térmico, o que ajuda a reduzir a dissipação de energia e a melhorar a confiabilidade geral do sistema.
Que tipo de garantia e suporte estão disponíveis para este produto MOSFET?
Como produto ativo e em conformidade com RoHS3, o MOSFET conta com suporte do fabricante e garantia de qualidade. É fornecido diretamente do estoque, garantindo disponibilidade rápida para seus projetos.
Garantia de Qualidade (QC)
DiGi garante a qualidade e autenticidade de cada componente eletrónico através de inspeções profissionais e amostragem em lote, assegurando uma proveniência fiável, desempenho estável e conformidade com especificações técnicas, ajudando os clientes a reduzir riscos na cadeia de abastecimento e a usar componentes com confiança na produção.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
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